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硅碳负极包覆设备参数介绍

时间:2021/1/20 11:15:00 来源:http://www.sinokiln.com/news545710.html

硅碳负极包覆设备是咸阳陶瓷研究院多年研发、生产的设备,设备采用高精度的温控表进行控温。温度控制采用PID控制方式,具有结构简单、稳定可靠、调整方便、适用范围广等优点。可以根据工艺设置不同的温度曲线,不同的升温时间和保温时间。

硅碳负极包覆设备参数介绍:

1、使用温度:0~1300度(非金属炉管)。

2、升温速率:根据工艺进行调整,可以快速升温。

3、控温精度:±1℃。

4、测温点:6点到12点。

5、炉管转速:0.2—1rp/min(可根据实际情况进行调整)。

6、保护气体:可以通入水蒸气,二氧化碳,氮气,氢气等气体。

7、电压:380V,50HZ

8、通入保护气体后氧气含量和保护气体的纯度有关。

9、硅碳负极包覆设备日产量根据工艺从200公斤到10吨不等。


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