气相沉积炉是利用了加热离子体激励或光辐射等方法，让气态的或者蒸汽状态的化学物质发生反应，并以原子态沉积在适当的位置的衬底上。从而形成了所需要的固态薄膜或是涂层的过程。
气相沉积炉反应室的压力、气体的流动速率、晶片的温度等反应中间起的作用都是沉积参数的变化范围，所以考虑到沉积薄膜中的变数、以及沉积速率决定着反应室的产出量，反应生成的膜不仅会沉积在晶片上，也会沉积在反应室的其他部件上，所以对反应室进行彻底清洗的程度也是重要。
气相沉积炉是传统的制备薄膜的技术，它的原理就是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间的化学反应，在晶片上形成薄膜。气相沉积能够生产出具备高质量高纯度以及高强度等优点的材料，因此在半导体行业很受欢迎。
